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STI34N65M5

MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK

Numéro d'article

STI34N65M5

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ V

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Package d'appareil du fournisseur

I2PAKFP (TO-281)

Dissipation de puissance (maximum)

190W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

28A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

62.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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