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STI34N65M5

STI34N65M5

MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
Numéro d'article
STI34N65M5
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ V
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Package d'appareil du fournisseur
I2PAKFP (TO-281)
Dissipation de puissance (maximum)
190W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
28A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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Coordonnées
Mots-clés de STI34N65M5
STI34N65M5 Composants électroniques
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