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STI33N65M2

STI33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Numéro d'article
STI33N65M2
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ M2
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
I2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
190W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
24A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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Mots-clés de STI33N65M2
STI33N65M2 Composants électroniques
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