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STI30NM60N

STI30NM60N

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Numéro d'article
STI30NM60N
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ II
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Package d'appareil du fournisseur
I2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
190W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
25A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de STI30NM60N
STI30NM60N Composants électroniques
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