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AGM-Semi (core control source)

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AGM609A

N-channel 60V 60A 6.5mΩ

Numéro d'article

AGM609A

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

DFN5x6

Emballage

taping

Nombre de paquets

3000

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 62.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ@10V,30A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 52.1nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.1nF@30V , Vds=60V Id=60A Rds=6.5mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;

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