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AGM-Semi (core control source)

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AGM605A

N-channel 60V 72A 4.5mΩ

Numéro d'article

AGM605A

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

PDFN5x6

Emballage

taping

Nombre de paquets

3000

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 72A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=72A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;

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