AGM-Semi (core control source)
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AGM6014AP N-channel 60V 72A 4.3mΩ

AGM6014AP

N-channel 60V 72A 4.3mΩ
Numéro d'article
AGM6014AP
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
PDFN3x3
Emballage
taping
Nombre de paquets
5000
Description
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 72A Power (Pd): 54W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 4.3mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 33nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.7nF@30V , Vds=60v Id=72A Rds=4.3 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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Coordonnées
Mots-clés de AGM6014AP
AGM6014AP Composants électroniques
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