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AGM-Semi (core control source)

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AGM6014AP

N-channel 60V 72A 4.3mΩ

Numéro d'article

AGM6014AP

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

PDFN3x3

Emballage

taping

Nombre de paquets

5000

Description

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 72A Power (Pd): 54W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 4.3mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 33nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.7nF@30V , Vds=60v Id=72A Rds=4.3 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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