AGM-Semi (core control source)
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Numéro d'article
AGM210MAP
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
DFN3.3x3.3
Emballage
taping
Nombre de paquets
5000
Description
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 54280 PCS
Coordonnées
Mots-clés de AGM210MAP
AGM210MAP Composants électroniques
AGM210MAP Ventes
AGM210MAP Fournisseur
AGM210MAP Distributeur
AGM210MAP Tableau de données
AGM210MAP Photos
AGM210MAP Prix
AGM210MAP Offre
AGM210MAP Prix ​​le plus bas
AGM210MAP Recherche
AGM210MAP Achat
AGM210MAP Chip