AGM-Semi (core control source)
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AGM206AP
AGM206AP
Numéro d'article
AGM206AP
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
DFN3x3
Emballage
taping
Nombre de paquets
5000
Description
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 72W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.0mΩ@4.5V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.8nF@15V , Vds=20V Id=60A Rds=5.0mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
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