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SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Numéro d'article

SQD10N30-330H_GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252AA

Dissipation de puissance (maximum)

107W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

300V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

330 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2190pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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