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SQA403EJ-T1_GE3

SQA403EJ-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V
Numéro d'article
SQA403EJ-T1_GE3
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SC-70-6
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SC-70-6 Single
Dissipation de puissance (maximum)
13.6W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
10A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1880pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de SQA403EJ-T1_GE3
SQA403EJ-T1_GE3 Composants électroniques
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