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SIZ300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Numéro d'article

SIZ300DT-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Puissance - Max

16.7W, 31W

Package d'appareil du fournisseur

8-PowerPair®

Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A, 28A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

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