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SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Numéro d'article
SIS888DN-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
ThunderFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® 1212-8S
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
52W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
150V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20.2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 75V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de SIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3 Composants électroniques
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