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SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Numéro d'article

SIS888DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

ThunderFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TA)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

52W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 75V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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