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SIB406EDK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Numéro d'article

SIB406EDK-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SC-75-6L

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SC-75-6L Single

Dissipation de puissance (maximum)

1.95W (Ta), 10W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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