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TPN3300ANH,LQ

MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Numéro d'article

TPN3300ANH,LQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta), 27W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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