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TPH8R80ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Numéro d'article

TPH8R80ANH,L1Q

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-SOP Advance (5x5)

Dissipation de puissance (maximum)

1.6W (Ta), 61W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

32A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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