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TK90S06N1L,LQ

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Numéro d'article

TK90S06N1L,LQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252-3

Dissipation de puissance (maximum)

157W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

90A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 500µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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