Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ) MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Chine
Fournisseur professionnel de composants électroniques

Catalogues Fabricants CN ICs

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Numéro d'article

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK+

Dissipation de puissance (maximum)

25W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 39246 PCS

Coordonnées