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TK6P53D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3

Numéro d'article

TK6P53D(T6RSS-Q)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-Pak

Dissipation de puissance (maximum)

100W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

525V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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