Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D(Q) MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

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TK2Q60D(Q)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

Numéro d'article

TK2Q60D(Q)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

π-MOSVII

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Package d'appareil du fournisseur

PW-MOLD2

Dissipation de puissance (maximum)

60W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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