Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W,S1X MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220

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TK17E80W,S1X

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220

Numéro d'article

TK17E80W,S1X

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

DTMOSIV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220

Dissipation de puissance (maximum)

180W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

17A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 850µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 300V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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