Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L(T6L1,NQ) MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

Numéro d'article

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVI

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK+

Dissipation de puissance (maximum)

27W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

8A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

+10V, -20V

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