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T2N7002AK,LM

MOSFET N-CH 60V 0.2A

Numéro d'article

T2N7002AK,LM

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SOT-23

Dissipation de puissance (maximum)

320mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.9 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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