Acheter STMicroelectronics STN1N20 MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

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STN1N20

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

Numéro d'article

STN1N20

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MESH OVERLAY™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223

Dissipation de puissance (maximum)

2.9W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15.7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

206pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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