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STH6N95K5-2

MOSFET N-CH 950V 6A

Numéro d'article

STH6N95K5-2

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ K5

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

H2Pak-2

Dissipation de puissance (maximum)

110W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

950V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.25 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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