Acheter STMicroelectronics SCT10N120 MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Chine
Fournisseur professionnel de composants électroniques

Catalogues Fabricants CN ICs

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

SCT10N120

MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3

Numéro d'article

SCT10N120

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 200°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

HiP247™

Dissipation de puissance (maximum)

150W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

690 mOhm @ 6A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 45216 PCS

Coordonnées