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RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Numéro d'article

RW1C020UNT2R

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-563, SOT-666

Package d'appareil du fournisseur

6-WEMT

Dissipation de puissance (maximum)

400mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Vgs (Max)

±10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

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