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RUC002N05T116

MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Numéro d'article

RUC002N05T116

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

SST3

Dissipation de puissance (maximum)

200mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

50V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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