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RRF015P03GTL

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3

Numéro d'article

RRF015P03GTL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

3-SMD, Flat Leads

Package d'appareil du fournisseur

TUMT3

Dissipation de puissance (maximum)

320mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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