Acheter Rohm Semiconductor RQ7E110AJTCR NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

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RQ7E110AJTCR

NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET

Numéro d'article

RQ7E110AJTCR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SMD, Flat Lead

Package d'appareil du fournisseur

TSMT8

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 10mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Vgs (Max)

±12V

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