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RQ6E030ATTCR

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Numéro d'article

RQ6E030ATTCR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-74, SOT-457

Package d'appareil du fournisseur

TSMT6 (SC-95)

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

91 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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