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RE1C002UNTCL

MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3

Numéro d'article

RE1C002UNTCL

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SC-89, SOT-490

Package d'appareil du fournisseur

EMT3F (SOT-416FL)

Dissipation de puissance (maximum)

150mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 100mA, 2.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Vgs (Max)

±8V

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