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RAQ045P01TCR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

Numéro d'article

RAQ045P01TCR

Fabricant/Marque

Rohm Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

TSMT6 (SC-95)

Dissipation de puissance (maximum)

600mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

-8V

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