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NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Numéro d'article
NP100N04PUK-E1-AY
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Package d'appareil du fournisseur
TO-263
Dissipation de puissance (maximum)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
100A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7050pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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