Acheter Renesas Electronics America HS54095TZ-E MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92

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HS54095TZ-E

MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92

Numéro d'article

HS54095TZ-E

Fabricant/Marque

Renesas Electronics America

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Package d'appareil du fournisseur

TO-92-3

Dissipation de puissance (maximum)

750mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

16.5 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

66pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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