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NVB60N06T4G

MOSFET N-CH 60V D2PAK

Numéro d'article

NVB60N06T4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Last Time Buy

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

D2PAK

Dissipation de puissance (maximum)

2.4W (Ta), 150W (Tj)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

60A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

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