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NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3

Numéro d'article

NID9N05ACLT4G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

DPAK

Dissipation de puissance (maximum)

1.74W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

52V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 9A, 12V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 12V

Vgs (Max)

±15V

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