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FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Numéro d'article

FDD3510H

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

PowerTrench®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

Puissance - Max

1.3W

Package d'appareil du fournisseur

TO-252-4L

Type FET

N and P-Channel, Common Drain

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.3A, 2.8A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 40V

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