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TP5335K1-G

MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3

Numéro d'article

TP5335K1-G

Fabricant/Marque

Microchip Technology

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-236AB (SOT23)

Dissipation de puissance (maximum)

360mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

350V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

85mA (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

30 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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