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TP5335K1-G

TP5335K1-G

MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
Numéro d'article
TP5335K1-G
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-236AB (SOT23)
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
350V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
85mA (Tj)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
30 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de TP5335K1-G
TP5335K1-G Composants électroniques
TP5335K1-G Ventes
TP5335K1-G Fournisseur
TP5335K1-G Distributeur
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