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IXTI10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

Numéro d'article

IXTI10N60P

Fabricant/Marque

IXYS

Série

PolarHV™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareil du fournisseur

TO-262 (I2PAK)

Dissipation de puissance (maximum)

200W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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