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IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
Numéro d'article
IXKF40N60SCD1
Fabricant/Marque
Série
CoolMOS™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Package d'appareil du fournisseur
ISOPLUS i4-PAC™
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
Super Junction
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
41A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.9V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de IXKF40N60SCD1
IXKF40N60SCD1 Composants électroniques
IXKF40N60SCD1 Ventes
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IXKF40N60SCD1 Distributeur
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