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IPC218N06N3X1SA2

MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL

Numéro d'article

IPC218N06N3X1SA2

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

OptiMOS™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

Die

Package d'appareil du fournisseur

Sawn on foil

Dissipation de puissance (maximum)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3A (Tj)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 196µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

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