Acheter Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 MOSFET N-CH 4SOT223

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BSP88H6327XTSA1

MOSFET N-CH 4SOT223

Numéro d'article

BSP88H6327XTSA1

Fabricant/Marque

Infineon Technologies

Série

SIPMOS®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

PG-SOT223-4

Dissipation de puissance (maximum)

1.8W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

240V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

350mA (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 108µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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