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EPC8009
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EPC8009

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Numéro d'article
EPC8009
Fabricant/Marque
EPC
Série
eGaN®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
Die
Package d'appareil du fournisseur
Die
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
65V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.7A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
52pF @ 32.5V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
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