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CAS325M12HM2

CAS325M12HM2

MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Numéro d'article
CAS325M12HM2
Fabricant/Marque
Série
Z-REC™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
-
Colis/Caisse
Module
Puissance - Max
3000W
Package d'appareil du fournisseur
Module
Type FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
444A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.3 mOhm @ 400A, 20V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 105mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1127nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Coordonnées
Mots-clés de CAS325M12HM2
CAS325M12HM2 Composants électroniques
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