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C2M0080120D

MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247

Numéro d'article

C2M0080120D

Fabricant/Marque

Cree/Wolfspeed

Série

C2M™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Bulk

Technologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247-3

Dissipation de puissance (maximum)

192W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

1200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

36A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

98 mOhm @ 20A, 20V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 1000V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Vgs (Max)

+25V, -10V

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