HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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SM4286T9RL-HXY
N-channel 100V 20A
Numéro d'article
SM4286T9RL-HXY
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
TO-252-2L
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
Field effect transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 100V Continuous drain current (Id): 20A On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 70mΩ@10V, 5A
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