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SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Numéro d'article
SQJ570EP-T1_GE3
Fabricant/Marque
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8 Dual
Puissance - Max
27W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Type FET
N and P-Channel
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
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Coordonnées
Mots-clés de SQJ570EP-T1_GE3
SQJ570EP-T1_GE3 Composants électroniques
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SQJ570EP-T1_GE3 Fournisseur
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