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SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Numéro d'article
SIS413DN-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® 1212-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Dissipation de puissance (maximum)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
18A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4280pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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