Acheter Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Numéro d'article

SIRA12DP-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

25A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 36345 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8