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SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
Numéro d'article
SIE820DF-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
10-PolarPAK® (S)
Package d'appareil du fournisseur
10-PolarPAK® (S)
Dissipation de puissance (maximum)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
50A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
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